氧化鋯陶瓷等離子體加熱原理
氧化鋯陶瓷等離子體燒結是指利用氣體放電時形成的高溫和電子能量以及可控氣氛對材料進行燒結。
由于氧化鋯陶瓷等離子體瞬間即可達到高溫，因而其升溫速率可達1000℃/min以上，所以氧化鋯陶瓷等離子體燒結技術是一種比較新的實驗室用無壓快速高溫燒結技術。
這一方法于1968年被首次用于A1203陶瓷的燒結，經過二十多年的發(fā)展，這種方法現已成功地用于各種精細陶瓷，如AI2()3、Y2()3Zr()2、Mg0、SiC等的燒結。
氧化鋯陶瓷等離子體燒結特點
①溫度高（可達2000IC或更高），升溫速率快（可達100℃/s）；
②燒結速度快，約0.5mln之內即可將樣品燒結；
③燒結速度快能夠有效抑制樣品的晶粒生長，但同時可能造成樣品內外溫度梯度及顯微結構的不均勻；
④過快的升溫可能使一些熱脹系數較大、收縮量較大的物件在升溫收縮過程中開裂；
⑤根據等離子體形狀，目前以燒結棒狀或管狀樣晶較為合適。
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本文“氧化鋯陶瓷等離子體加熱原理”由科眾陶瓷編輯整理，修訂時間：2022-12-17 14:00:22
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